Главный ионосферный провал

Главная / Ключевые понятия /

Главным ионосферным провалом называют минимум в зависимости электронной концентрации от широты на высотах F-области, существующий на геомагнитных широтах ~ 50°-70°.

Это преимущественно зимнее ночное явление. В дневное время летом он практически не наблюдается. Глубина провала в электронной концентрации на высотах F2 области может составлять от 3-5 до 10 и более раз. Формы провала (т.е. вид зависимости электронной концентрации от широты) очень разнообразны: от широкой (~20°) изрезанной долины до узкого (<5°) глубокого минимума. Высокоширотная стенка провала обычно круче, чем низкоширотная. Средняя ширина в ночное спокойное время составляет около 10°.

Основным механизмом формирования главного ионосферного провала принято считать перенос ионосферной плазмы магнитосферной конвекцией в сочетании с коротацией, приводящий к существованию области застоя плазмы на ночной стороне, где плазма может рекомбинировать сколь угодно долго.